第二百三十五章 晶圆硅片（3 / 3）

化学机械抛光，简称CMP。

这一步是结合了物理和化学的理综型抛光手段，具体做法是将硅片装在旋转的抛光仪器上，下方表面薄层会先被研磨液化学氧化，再被抛光垫物理打磨，这一步硅片厚度会再打薄5微米左右，直到被抛光成完美的镜面，这样就得到了一枚抛光片。

这一步最复杂，陈地忠虽然找到了化学机械抛光机，但是还要调配适合的抛光液，抛光液中包括研磨料、PH值调配剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂，这就把陈地忠难住了，只能草草了事。

第9步：湿法清洗。

用去离子水和各种化学溶剂进行清洗，去掉制程中黏附在硅片表面的各种尘埃和杂质，这些颗粒物会影响芯片的制造流程，造成器件的短路或者开路。

除了要严格地控制污染物密度之外，其颗粒大小往往不能超过特征尺寸的一半。

所以在先进制程中，能允许的单个颗粒物直径最多只有几纳米。

这个要比无菌手术严格多了，要知道一粒流感病毒的直径就能有100纳米，细菌就更大了，所以很多硅片厂或晶圆厂里的打工仔得了感冒必须休假，否则打一个喷嚏都可能污染芯片。

这一步对陈地忠这个化学盲来说，也只能一带而过。

第10步，检测密封。

在通过上述加工工艺，提高了硅片的平整度和光洁度之外，硅片还要保证翘曲度、氧含量、金属残余量等等指标，所以要经过电镜检查、光学散射等各种检测，达标后一张平平无奇的硅片才终于诞生了！

最后，做好的硅片被放进充满氮气的密封盒子里送往晶圆厂开始下一段旅程。

以上就是用单晶硅棒加工晶圆级硅片的过程。

我讲清楚了吗？